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지원 기술
한국전자통신연구원 융합부품실험실 홈페이지 방문을 환영합니다.
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 6인치 실리콘 기판을 기반으로 하는 CMOS ASIC 및 다양한 단위소자 제작 지원 (부분 5인치 공정 가능)
 4인치 GaAs/InP 소자 및 다양한 단위소자 제작 지원
 SEM, TEM 등 물성분석 지원 및 패키지 제작 지원

400V 급 고내압 전력 집적회로
제품용도 - 전압안정기 집적회로, PDP 등 디스플레이 구동 IC, Smart Power IC
주요특징 - 시장 확대가 예상되는 전력소자 및 전력집적회로 제조 기술의 경쟁력 확보 및 시장 선점
고성능 Silicon PIN Diode Detector
제품용도 - 우주공간내 고에너지 입자 센서(인공위성 탑재, (미)NASA 납품)
주요특징 - Large Area PIN Diode(55 x 62 mm2), Stepper를 이용한 대면적 Chip 사진전사 기술,
               우수한 성능(Dark Current ~ 5nA/cm2, B.V > 300V), 높은 수율(~70%)
고에너지 입자감지용 2-D Stripixel Detector
제품용도 - 고에너지 입자위치 추적 및 에너지 측정용 센서, 방사선 영상 촬영 장치
주요특징 - 세계 유수기업과 대등한 특성을 갖는 고에너지 입자감지용 Strip Sensor 제조 기술 확보
방사선 누출 감지용 PIN형 반도체 검출기
제품용도 - 원자력발전소 개인 휴대용 방사선 누출 감지 센서
주요특징 - Direct Type & In-direct Type, 다양한 Chip Size(3x3mm2, 5x5mm2, 10x10mm2)
입자 위치 추적용 실리콘 양면 u-Strip Sensor
제품용도 - 가속기내 고에너지 입자 위치 추적, 입자 종류 판별을 위한 Double-side Silicon u-Strip
주요특징 - 양면 공정, Large Chip Size(3.5 x 5.5 cm2), High Sensitivity
Near IR Sensor용 Silicon Photodiode
제품용도 - 군수용(보병 장착용 및 미사일 탄두용) IR Sensor
주요특징 - 우수한 성능(Low Dark Current, High Breakdown Voltage, High Speed), 높은 수광효율을
               위한 공정 기술(Shallow Doping, AR Layer, Metal Patterning)
X선 영상처리 시스템용 실리콘 PIN Diode
제품용도 - 치과용 X-ray Image Sensor
주요특징 - 대면적 Chip(25x35 mm2, 60만 화소), Stepper를 이용한 대면적 Chip 사진전사 기술
X-ray Line Scan Imager용 실리콘 PIN Detector
제품용도 - 공항, 항만 등의 물류검색용 X-선 Detector
주요특징 - 의료용 검사장비, 방사능 검사, 비파괴검사 등 응용 범위가 다양한 Silicon Detector 제조
               핵심 기술 확보 및 그에 따른 관련 기술의 경쟁력 향상

트렌치 게이트 DMOS 전력소자 기술
제품용도 - 자동차 Relay & Switch, DC-DC Converters, Power Management 등
주요특징 - 집적도: 100M cells/in2, Cell pitch =4.0um, 동작전압: Vds = 40~80V
               구동전류: Ids > 10A , Max전류 : Ids=300A, Ron: < 50 mΩ (Vgs=10V)
Isolation용 Deep Trench & Trench Gate용 Shallow Trench 기술
제품용도 - TDMOS, VDMOS, PIN Diode, Capacitor device 등등
주요특징 - Gate 용 Deep Trench 의 depth 2 ㎛를 이용한 사진전사, Gate 용 Shallow Trench
Multi-layer mask patterning for R&D device
기술용도 - 시제품 개발 및 제작용의 마스크 제작 비용 절감 기술
기술내용 - Stepper의 노광영역 분할 기능 이용 한장의 마스크내에 최대 16개 layer 까지 구성 가능
PR patterning for Silicon nano-wire
기술 내용 - 광학 노광장비를 이용하여 형성한 수백 nm 급 형상을 Plasma PR trimming 기술을 이용하여
                수십 nm 급의 Silicon Nano wire용 미세패턴 형성
기술 의의 - 전자빔 묘사장비에서 구현되는 수십 nm급 나노와이어용 미세형상을 광학 노광장비
                (i-line stepper) 를 이용하여 구현
RF 부품용 수동소자 제작기술
제품용도 - 휴대폰 부품용 수동소자, Resistor, Capacitor 등등
주요특징 - High-Resistive Resistor: R=20 kΩ ± 10% → Poly-Si Resistor
             - Medium-Resistive Resistor: R=200 Ω ± 6% → Poly-Si Resistor
             - Low-Resistive Resistor: R=2 Ω ± 6% → Metal Resistor
             - Capacitor: C=100 fF ~ 20 pF ± 6%, Q > 60 (@ 2GHz) → MIM Capacitor
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